基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析

• 作者: 李瑞宾 杨善潮 林东生 王桂珍 金晓明 陈伟 马强 齐超
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 正交设计 瞬时电离辐射 BiMOS 最劣偏置
• 年，卷（期）: 2012,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 592-597
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文

摘要

利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果.在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最劣偏置条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	林东生		33	148	8.0	10.0
3	王桂珍		32	156	7.0	9.0
4	杨善潮		28	101	6.0	7.0
5	李瑞宾		13	28	3.0	4.0
6	马强		10	26	3.0	4.0
7	齐超		8	19	3.0	3.0
8	金晓明		11	16	2.0	2.0