界面改善对P（VDF-co-CTFE）/BST复合材料介电和储能性能影响

• 作者: 夏卫民 张志成 曹从军 陈源清
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 复合材料界面 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 钛酸锶钡 储能
• 年，卷（期）: 2012,（14）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1894-1898
• 页数: 5页
• 分类号: TB332|TB324
• 字数: 3616字
• 语种: 中文

摘要

用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡（BaSrTiO3,BST）陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂（KH550）进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯（P（VDF-co-CTFE））采用0-3方式进行了复合。然后通过溶液流延法在石英片上制备了P（VDF-co-CTFE）/BaSrTiO3复合材料厚膜,并进行了淬火处理。采用XRD、TEM、TGA和SEM表征了纳米陶瓷和复合材料形貌。结果表明KH550可以有效地作用于高介电常数BST陶瓷颗粒表面。KH550处理后的复合材料具有更大的介电常数（εr〉33）,更高耐电场强度（Eb〉270MV/m）和较低的损耗。界面处理同时可以有效提高复合材料的饱和极化强度（Ps）,降低剩余极化强度（Pr）,使其储能密度（Ue）达6.8J/cm3。总体结果表明,两相界面改善后的聚合物/陶瓷复合材料在高储能密度领域中具有广泛的应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹从军	西安理工大学印刷包装工程学院	55	259	8.0	14.0
2	张志成	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	21	145	7.0	11.0
3	夏卫民		1	11	1.0	1.0
4	陈源清	西安理工大学印刷包装工程学院	12	40	4.0	5.0