n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化

• 作者: 任瑞晨 史力斌 张研研
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 异质结 背场 模拟
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1446-1450
• 页数: 5页
• 分类号: TK511.4
• 字数: 2518字
• 语种: 中文

摘要

采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了背场对TCO/a-Si∶ H(p+)/a-Si∶ H(i)/c-Si(n) /a-Si∶ H(i) /a-Si∶ H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明在背场掺杂浓度NB≥1×1018cm-3时,带隙在1.60～ 1.92 eV范围内的宽带隙薄膜硅材料比较适合作为双面HIT太阳电池的背场.模拟中还发现,背场n+层掺杂浓度对太阳电池性能的影响要受到该层隙间态密度的制约,隙间态密度越大,则对背场掺杂浓度的要求越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任瑞晨	辽宁工程技术大学矿业学院	109	568	12.0	15.0
2	史力斌	渤海大学数理学院	28	74	5.0	6.0
3	张研研	辽宁工程技术大学矿业学院	20	37	3.0	5.0