反射各向异性谱在线监测852 nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长

• 作者: 宁永强 张建 张建伟 张星 张立森 徐华伟 曾玉刚
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 AlGaInAs 反射各向异性谱 金属有机化合物汽相沉积
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 53-58
• 页数: 6页
• 分类号: TN2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201239.0502010

摘要

研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852 nm半导体激光器.通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和研究了AlGaInAs/AlGaAs界面的外延质量.研究结果表明高温生长可以导致从AlGaInAs量子阱层到AlGaAs势垒层的In析出现象.通过优化生长温度和在AlGalnAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得AlGaInAs/AlGaAs陡峭界面.使用优化后的外延生长条件,外延生长了整个852 nm半导体激光器,使用RAS在线监测了激光器的外延生长过程,可以有效地分辨出不同外延层和生长阶段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	113	802	13.0	25.0
2	张星	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	35	193	8.0	13.0
3	宁永强	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	49	191	9.0	13.0
4	张建伟	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	16	30	2.0	5.0
5	曾玉刚	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	12	28	2.0	5.0
6	徐华伟	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	4	25	2.0	4.0
7	张立森	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	0	0.0	0.0