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摘要:
研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGaAs量子阱和852 nm半导体激光器.通过使用反射各向异性谱(RAS)和光致发光谱在线监测和研究了AlGaInAs/AlGaAs界面的外延质量.研究结果表明高温生长可以导致从AlGaInAs量子阱层到AlGaAs势垒层的In析出现象.通过优化生长温度和在AlGalnAs/AlGaAs界面处使用中断时间,可以有效抑制In析出,从而获得AlGaInAs/AlGaAs陡峭界面.使用优化后的外延生长条件,外延生长了整个852 nm半导体激光器,使用RAS在线监测了激光器的外延生长过程,可以有效地分辨出不同外延层和生长阶段.
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文献信息
篇名 反射各向异性谱在线监测852 nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长
来源期刊 中国激光 学科 工学
关键词 激光器 AlGaInAs 反射各向异性谱 金属有机化合物汽相沉积
年,卷(期) 2012,(5) 所属期刊栏目 激光器与激光光学
研究方向 页码范围 53-58
页数 6页 分类号 TN2
字数 语种 中文
DOI 10.3788/CJL201239.0502010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张建 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 113 802 13.0 25.0
2 张星 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 35 193 8.0 13.0
3 宁永强 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 49 191 9.0 13.0
4 张建伟 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 16 30 2.0 5.0
5 曾玉刚 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 12 28 2.0 5.0
6 徐华伟 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 4 25 2.0 4.0
7 张立森 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 3 0 0.0 0.0
传播情况
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  • 二级参考文献(0)
2012(1)
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研究主题发展历程
节点文献
激光器
AlGaInAs
反射各向异性谱
金属有机化合物汽相沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国激光
月刊
0258-7025
31-1339/TN
大16开
上海市嘉定区清河路390号 上海800-211邮政信箱
4-201
1974
chi
出版文献量(篇)
9993
总下载数(次)
26
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导