反射式GaN光电阴极表面势垒对量子效率衰减的影响

• 作者: 富容国 张益军 杨永富 王晓晖 马力
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN光电阴极 量子效率衰减 发射电子能量分布 表面势垒
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 589-596
• 分类号: TN383.1
• 语种: 中文

摘要

针对反射式GaN光电阴极长波段量子效率衰减较大，短波段量子效率衰减较小的实验现象，在考虑谷问散射的情况下，利用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法，计算了发射电子能量分布，分析了表面势垒变化对量子效率衰减的影响，理论与实验符合较好．激活层有效偶极子数的减少使表面势垒宽度和高度增加，引起长波光子激发产生的发射电子能量分布衰减较大，短波光子激发产生的发射电子能量分布衰减较小，这是量子效率在长波段衰减较大，短波段衰减较小的根本原因．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
2	张益军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	105	6.0	8.0
3	富容国	南京理工大学电子工程与光电技术学院	27	227	8.0	14.0
4	杨永富	南京理工大学电子工程与光电技术学院	2	7	2.0	2.0
5	马力	南京理工大学电子工程与光电技术学院	2	14	2.0	2.0