Co-W磁性薄膜应变对其有效磁晶各向异性能的影响

• 作者: 任玉平 李松 秦高梧 肖娜
• 来源期刊: 东北大学学报：自然科学版
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变 磁记录介质 磁晶各向异性能 取向附生 Co-W
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与冶金
• 页码范围: 77-80,85
• 页数: 5页
• 分类号: O482.54
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射在250℃的MgO（220）单晶基片上先后沉积Cr（100 nm）下底层和不同厚度（9~80 nm）的Co-11%W（原子分数）磁性层,二者取向附生生长关系为Cr（112）[111]∥Co-W（1010）[1210]和Cr（112）[110]∥Co-W（1010）[0001].随着膜厚的增加,Co-W在薄膜面内的压应变（ε〈0）由-0.388 4%减小到-0.271 1%,Co-W在薄膜法线方向拉应变（ε〉0）从0.781 3%减小到0.544 5%,相应地其有效磁晶各向异性能一级常数Ke1ff由3.82×106减小到2.58×106erg/cc.该结果表明通过设计磁性层和下底层之间的应变状态,可以达到调节磁记录介质有效磁晶各向异性能的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任玉平		44	131	7.0	9.0
2	秦高梧		43	95	5.0	8.0
3	肖娜		14	17	3.0	3.0
4	李松		32	143	8.0	10.0