高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究

• 作者: 查薇 游海龙 范菊平 蓝建春 贾新章
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率微波 n型金属．氧化物-半导体场效应晶体管 热载流子 特性退化
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 485-491
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

高功率微波（HPM）通过使半导体器件特性退化和功能失效，从而干扰电子系统无法正常工作．针对金属氧化物半导体（MOS）器件的HPM效应，建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）特性退化的物理过程与模型．器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化，包括阈值电压正向漂移、饱和电流减小、跨导减小等；结合物理模型分析可知，HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态，热载流子数目增多，热载流子效应导致器件特性退化．MOS器件的HPM注入实验结果显示，器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致，验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游海龙	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	21	187	8.0	13.0
2	贾新章	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	63	572	14.0	20.0
3	范菊平	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	26	3.0	3.0
4	蓝建春	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	19	1.0	1.0
5	查薇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	19	1.0	1.0