台槽刻蚀对埋栅型静电感应晶体管特性的影响

• 作者: 朱筠
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 埋栅型SIT 台面刻蚀 深槽刻蚀 先台后槽
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 175-178
• 分类号: TN911-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2012.08.053

摘要

对埋栅型SIT,为切断栅极和源极(或阴极)之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进行研究;为消除栅墙外划片边界造成的各种寄生效应,在有源区的外面挖深槽,以保证栅源击穿发生在内部、实现击穿接近理论值.对先刻蚀台面还是先刻蚀槽的问题做了实验对比,结果发现先台后槽更有利于器件特性的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱筠	西安邮电学院电子工程学院	10	15	2.0	3.0