多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响

• 作者: 周艺 欧衍聪 肖斌 郭长春 金井升 黄燕
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散 氧化层 少子寿命 太阳电池 多晶硅
• 年，卷（期）: 2012,（16）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 35-37,46
• 分类号: TM914.4+1
• 字数: 2983字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-023X.2012.16.010

摘要

重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究.采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Q和8522mA,光电转换效率也由16.69％(干氧流量2000sccm)提高到了16.83％.此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周艺	长沙理工大学化学与生物工程学院	37	321	10.0	17.0
2	黄燕	长沙理工大学化学与生物工程学院	4	31	2.0	4.0
3	肖斌	长沙理工大学化学与生物工程学院	5	20	3.0	4.0
4	郭长春	长沙理工大学化学与生物工程学院	2	2	1.0	1.0
5	欧衍聪	长沙理工大学化学与生物工程学院	2	2	1.0	1.0
6	金井升		1	0	0.0	0.0