不同半导体材料构成光子晶体在太赫兹波段能态密度特性

• 作者: 邴丕彬 闫昕
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体 平面波展开法 带隙特性
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1362-1365
• 页数: 4页
• 分类号: TW304
• 字数: 2486字
• 语种: 中文

摘要

基于平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料构成二维三角晶格光子晶体在太赫兹波段的能态密度特性,数值模拟得到Ⅳ族SiC在填充率f=0.8时形成0.037 THz带隙宽度,Ⅱ-Ⅵ族ZnO在填充率f=0.73时形成0.0417 THz带隙宽度,不同填充率情况下Ⅲ-Ⅴ族半导体材料形成0.027 THz带隙宽度,比较数据Ⅱ-Ⅵ族半导体材料形成较宽的带隙,研究结果为太赫兹光子晶体器件的开发提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫昕	枣庄学院光电工程学院	57	136	6.0	8.0
2	邴丕彬	华北水利水电学院电力学院	15	35	3.0	4.0