污秽绝缘子表面干区形成的影响因素

• 作者: MacAlpine Mark 关志成 张若兵 梁飞
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 污闪 干区 等值附盐密度(ESDD) 等值附灰密度(NSDD) 平板模型 人工污秽试验
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 输、变电系统外绝缘专题
• 页码范围: 2604-2610
• 页数: 7页
• 分类号: TM86
• 字数: 4921字
• 语种: 中文

摘要

干区的形成是绝缘子污闪发生的一个必要条件,干区的形成受电压、污秽种类和含量、天气等诸多因素的影响,研究干区形成的影响因素问题,不仅有助于更加深刻地认识干区的形成,而且可以完善外绝缘污闪理论。为此,以矩形污秽玻璃片模拟实际绝缘子,在人工雾室中试验研究了污秽和雾对干区形成的影响。试验结果表明：随着等值附盐密度（ESDD）的增加,干区的形成时间逐渐缩短,干区宽度逐渐减小;随着等值附灰密度（NSDD）的增加,干区的形成时间逐渐变长,干区宽度逐渐增大;随着雾浓度的增大,干区的形成时间不变,干区宽度逐渐减小。此外,基于热量平衡理论对这些影响趋势给出了解释。研究结果表明ESDD、NSDD和雾浓度对于干区的形成是有影响的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关志成	清华大学深圳研究生院	227	4753	35.0	53.0
2	张若兵	清华大学深圳研究生院	37	473	12.0	21.0
3	梁飞	清华大学深圳研究生院	3	41	3.0	3.0
4	MacAlpine Mark	清华大学深圳研究生院	2	37	2.0	2.0