镓掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备及其性能研究

• 作者: 侯金 孙奉娄 杨春勇 钟志有 顾锦华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 磁控溅射 光电性能
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1337-1344
• 页数: 8页
• 分类号: O484
• 字数: 3231字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(Ga∶ ZnO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等表征技术,研究了衬底温度对Ga∶ ZnO薄膜结构、组分、光学和电学性质的影响.结果表明:所有样品均为具有(002)择优取向的高质量透明导电薄膜,其晶体结构和光电性能与衬底温度密切相关.当衬底温度为673 K时,所制备的Ga∶ ZnO薄膜具有最大的晶粒尺寸(72.6 nm)、最低的电阻率(1.3×10-3Ω·cm)、较高的可见∶ZnO薄膜的光学能隙,结果显示随着衬底温度的升高,薄膜的光学能隙单调增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙奉娄	中南民族大学电子信息工程学院	76	434	13.0	15.0
5	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
9	顾锦华	中南民族大学计算与实验中心	33	183	9.0	12.0
10	杨春勇	中南民族大学电子信息工程学院	48	183	7.0	11.0
11	侯金	中南民族大学电子信息工程学院	18	48	4.0	6.0