偏压对Ge/Si单量子点电流分布的影响

• 作者: 张丽红 杨宇 杨杰 杨涛 王茺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge/Si单量子点 导电原子力显微镜 偏压 电学特性
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1331-1336
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3320字
• 语种: 中文

摘要

采用扫描探针显微镜(SPM),对离子束溅射自组装生长的Ge/Si量子点的电学性能进行分析.实验结果表明,施加正向偏压于圆顶形量子点上时,由于表面氧化物的生成,扫描区域的电流信号是不可恢复的.施加负向偏压时,单量子点区域的电流分布特征保持环状,且电流剖面图呈双峰结构,随着负向偏压的增大,各个电流峰顶部形状由尖锐变为截平,呈现出饱和的趋势.通过对电流值大小分布的统计,证实了Ge/Si量子点的电流传导主导机制为热电子发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
2	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
3	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	杨涛	云南大学光电信息材料研究所	5	65	4.0	5.0
5	张丽红	云南大学光电信息材料研究所	1	3	1.0	1.0