晶体硅电池的价电子结构与光谱响应的相关性分析

• 作者: 孟振华 郭永权
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 晶体硅 太阳能电池 价电子结构 光谱响应
• 年，卷（期）: 2012,（28）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 2693-2698
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/972011-2168

摘要

晶体硅太阳能电池是第一种实现商业化的太阳能电池,也是我国唯一实现商业化生产的太阳能电池.目前的研究多关注于硅电池的制备工艺,本文用固体与分子经验电子理论(EET)研究了单晶硅太阳能电池的价电子结构,从价电子结构的角度分析了单晶硅太阳能电池的光谱响应值,多晶硅电池的光谱响应问题.理论计算结果与实验数据基本一致,计算结果表明:单晶硅光谱响应的起始波长为4603 (A),其光谱响应的最大值在波长7482 (A)处,光谱响应截止波长为10062 (A),相当于1.23 eV的禁带宽度.多晶硅电池的光谱响应范围虽然跟单晶硅一致,但是影响光谱响应值变小,其原因在于晶粒排列杂乱导致电子状态转变的难度增加,降低了对光子的吸收.最后用同样的方法对Ge的光谱响应进行了分析.分析表明,Ge的光谱响应的起始值在波长5596 (A)处,截止值在12940 (A)处,最大值在波长9224 (A)处,从价电子结构的角度解释了Ge不适合做太阳能电池的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永权		12	27	2.0	5.0
2	孟振华		4	20	1.0	4.0