拉曼光谱和红外光谱分析沉积气压对微晶硅薄膜微结构的影响

• 作者: 陈城钊
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 化学
• 关键词: 微晶硅薄膜 沉积气压 拉曼光谱 傅里叶变换红外透射谱
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 1188-1191
• 分类号: O657.33|O657.37
• 字数: 2185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8138.2012.02.125

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD),在玻璃和硅衬底上以230-310Pa之间的沉积气压生长微晶硅(μc-Si:H)薄膜.利用拉曼光谱和红外光谱分析样品的微结构.结果发现样品的微结构强烈依赖于沉积气压,并且存在着最佳沉积气压250Pa,在此条件下的微晶硅薄膜晶化率为60.6％,氢含量为最小值9.1％.