含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究

• 作者: 刘保亭 史守山 娄建忠 张二鹏 李俊颖 李钗 贾长江 闫小兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阻变开关 STO Ti反应电极 开关机制 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1276-1279,1285
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2173字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ (STO)/Pt结构的阻变存储器件单元.器件的有效开关次数可达200次以上.利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1 ×105 s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性.器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上.在9mA的限制电流下,器件的低阻态为500 Ω,有利于降低电路的功耗.氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOx发挥着氧离子库的作用.阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	娄建忠	河北大学电子信息工程学院	25	64	5.0	6.0
3	闫小兵	河北大学电子信息工程学院	22	70	4.0	8.0
4	李俊颖	河北大学电子信息工程学院	4	5	1.0	2.0
5	贾长江	河北大学电子信息工程学院	7	27	2.0	5.0
6	史守山	河北大学电子信息工程学院	6	11	2.0	3.0
7	张二鹏	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0
8	李钗	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0