多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究

• 作者: 何文红 周艺 欧衍聪 肖斌 郭长春 金井升 黄岳文
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅太阳电池 PECVD 双层SiNx膜
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 14-16
• 分类号: TM914.4+1
• 字数: 3150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-023X.2012.08.005

摘要

采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析.结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34％.