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Microchip单片机如何实现了超低功耗——PIC24F“GA3”16位闪存MCU系列解析
Microchip单片机如何实现了超低功耗——PIC24F“GA3”16位闪存MCU系列解析
作者:
迎九
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
超低功耗
低电压体眠
VBAT
摘要:
在超低功耗领域,Microchip公司新推出的具有多种全新低功耗休眠模式且工作电流业界最低的PIC24F“GA3”16位闪存MCU系列,通过多种技术,实现了150 μ A/MHz工作电流,以及6个DMA通道,从而允许以更低的功耗、更大的吞吐量执行程序.
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文献信息
篇名
Microchip单片机如何实现了超低功耗——PIC24F“GA3”16位闪存MCU系列解析
来源期刊
电子产品世界
学科
工学
关键词
超低功耗
低电压体眠
VBAT
年,卷(期)
2012,(3)
所属期刊栏目
技术专题(嵌入式系统)
研究方向
页码范围
23-24,26
页数
分类号
TP368.1|TP333
字数
2566字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1005-5517.2012.3.005
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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共引文献
(0)
参考文献
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研究主题发展历程
节点文献
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低电压体眠
VBAT
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品世界
主办单位:
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
美国国际数据集团(IDG)
出版周期:
月刊
ISSN:
1005-5517
CN:
11-3374/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市复兴路15号138室
邮发代号:
82-552
创刊时间:
1993
语种:
chi
出版文献量(篇)
11765
总下载数(次)
14
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