高平整度和低损伤碳化硅晶片的纳米磨削技术

• 作者: 冯光 康仁科 郭东明 霍凤伟
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: 碳化硅晶片 纳米磨削 杯形砂轮 平整度 表面粗糙度 损伤
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 3027-3033
• 页数: 7页
• 字数: 322字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(11)61566-5

摘要

采用细粒度砂轮的纳米磨削来实现碳化硅晶片高平整度和低损伤加工新方法.磨削试验表明采用纳米磨削50.8 mm碳化硅晶片时其平整度在1.0 μmn以内,表面粗糙度可达0.42 nm.纳米磨削比双面研磨和机械抛光更能高效地对碳化硅晶片做更高平整度、更低损伤加工,可以取代双面研磨和机械抛光,并减小化学机械抛光去除量.研究结果对高效低成本制备高质量碳化硅晶片有参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	霍凤伟	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	9	154	7.0	9.0
4	冯光	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	5	46	4.0	5.0