a-Si(n)/c-Si(p)异质结电池非晶层的模拟优化

• 作者: 刘淑平 吴国盛 王振文 闻腾
• 来源期刊: 科技创新与生产力
• 关键词: afors-het 异质结电池 发射层 界面态 本征层
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: O475
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-9146.2012.10.087

摘要

采用afors-het数值模拟软件,针对a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)电池结构的非晶层主要参数,模拟研究并讨论了异质结电池的发射层厚度、发射层掺杂浓度、界面态和本征非晶层.提出了如下结论:发射层厚度主要影响短波光子吸收；随着厚度的增加,电池性能均下降；发射层重掺杂是获得好的转化效率的一个条件；界面态较低时对电池性能影响不大,当达到1014cm-2·eV- 1时,电池性能很差；高质量的本征非晶层可以有效钝化硅片,降低界面态密度,提高电池性能,但应控制一定厚度内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘淑平		28	44	4.0	5.0
2	吴国盛		3	17	3.0	3.0
3	闻腾		2	13	2.0	2.0
4	王振文		4	17	3.0	4.0