低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响

• 作者: 丁学成 傅广生 王英龙 褚立志 邓泽超 高建聪
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光烧蚀 纳米Si晶粒 尺寸
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1211-1215
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2309字
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米Si晶粒.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征.结果表明:在引入气流前后,纳米Si晶粒的尺寸均随着与靶距离的增加而逐渐减小；在同一位置,引入气流比不引入气流晶粒尺寸小,面密度大；在3.0～3.5 cm处,不引入气流时的样品不再有纳米Si晶粒,而引入气流的还存在纳米Si晶粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
5	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
6	高建聪	河北大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0