结构参数对p-i-n结构InGaN太阳能电池性能的影响及机理

• 作者: 周梅 赵德刚
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 太阳电池 结构参数
• 年，卷（期）: 2012,（16）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 496-501
• 分类号: TM911.4
• 语种: 中文

摘要

研究了器件结构参数对p-i—n结构InGaN单结太阳能电池性能的影响及物理机制．模拟结果发现：随着InGaN禁带宽度的增加，InGaN电池的短路电流减小，但同时开路电压增加，当InGaN层的禁带宽度为1．5eV左右时，同质p-i—n结InGaN电池的效率最高，并计算了不同厚度的i层对InGaN电池效率的影响．进一步的计算表明，适当采用带宽更大的p-InGaN层形成异质p-i—n结InGaN电池可以获得更高效率，但是p-InGaN层带宽过大也会导致电池的效率急剧下降．研究还发现，采用禁带宽度更大的n—InGaN层可以形成背电场，从而增加p-i—n结InGaN太阳电池的效率．研究结果表明，适当选择P—InGaN和n-InGaN禁带宽度形成异质P—i—n结可以提高InGaN太阳能电池效率．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0