HgI2晶体最低生长温度的确定

• 作者: 刘翠霞 坚增运 张改 惠增哲 许岗 谷智
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碘化汞 物理气相沉积 最低生长温度
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1195-1199
• 页数: 5页
• 分类号: TQ050.4+21
• 字数: 3251字
• 语种: 中文

摘要

为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	坚增运	西安工业大学材料与化工学院	106	460	12.0	17.0
2	惠增哲	西安工业大学材料与化工学院	35	73	4.0	5.0
3	张改	西安工业大学材料与化工学院	25	55	4.0	6.0
4	许岗	西安工业大学材料与化工学院	29	154	6.0	11.0
5	谷智	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	21	103	5.0	9.0
6	刘翠霞	西安工业大学材料与化工学院	19	16	2.0	3.0