IGBT器件的发展

• 作者: 刘利峰 张景超 戚丽娜 赵善麒
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 双极型晶体管 安全工作区
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 新型电力电子器件专辑
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 3293字
• 语种: 中文

摘要

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗及BJT的低导通压降,以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点.若想继续提升IGBT性能和可靠性,不断降低IGBT制造成本,让国产IGBT跟上世界领先水平,需深刻理解IGBT的发展历程,清晰认识自身的优势与不足,透彻掌握领先技术的精髓,投入更多人力、物力研发新方法、新材料,时刻关注世界领先厂家的发展方向及业界需要.在此主要阐述了IGBT的发展历程、国内外现状、目前一些先进的技术方法和新材料及今后的发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘利峰		3	43	2.0	3.0
2	张景超		2	43	2.0	2.0
3	赵善麒		6	50	3.0	6.0
4	戚丽娜		1	31	1.0	1.0