CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进

• 作者: 何知宇 刘光耀 朱世富 杨辉 樊龙 王小元 赵北君 陈宝军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdSiP2 多晶合成 红外透过率
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 1163-1167
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 2980字
• 语种: 中文

摘要

以高纯(6N) Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶.X射线衍射(XRD)分析及Rietveld全谱拟合精修结果表明合成产物中含有微量SiP和CdP2杂相,分析了杂相产生的原因.针对存在的问题改进合成工艺,引入高温熔体机械和温度振荡以及分步控温冷却等新工艺,获得了外观完整、内部致密均匀的CdSiP2多晶.XRD及能量色散谱仪(EDS)分析结果表明,合成产物为高纯单相CdSiP2多晶,为高质量单晶体的生长奠定了可靠基础.以改进工艺获得的CdSiP2多晶为原料生长出质量较好的单晶体,厚度为2mm的晶片样品在1500 ～ 7000 cm-1范围内的红外透过率在45％以上,计算出晶体的禁带宽度为2.09 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
5	樊龙	四川大学材料科学系	7	22	3.0	4.0
6	杨辉	四川大学材料科学系	16	50	5.0	6.0
7	刘光耀	四川大学材料科学系	3	14	2.0	3.0
8	王小元	四川大学材料科学系	4	22	3.0	4.0