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ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe∶Cr晶体的光谱性能
ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe∶Cr晶体的光谱性能
作者:
介万奇
刘长友
孙晓燕
徐亚东
杨睿
魏小燕
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ACRT-Te溶剂法
ZnTe∶ Cr晶体
透过光谱
可见光致发光谱
红外荧光谱
摘要:
采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶ Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征.紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570 ~ 750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收.低温光致发光(PL)谱分析表明,晶体在530 nm附近和595 ~ 630 nm之间出现近带边(NBE)发射和自激活(SA)发射.进一步分析表明,NBE发射由受主束缚激子(A1,X)峰、电子-受主对(e,A)峰和施主-受主对(DAP)发光峰组成.利用Arrhenius公式对变温PL谱上的NBE峰进行拟合,得出样品在低温(<50 K)和高温(>50 K)时的热猝灭激活能分别为3.87 meV和59.53 meV.红外荧光谱分析表明,ZnTe∶ Cr晶体的室温荧光发射带为2~2.6 μm,荧光寿命为1.0 ×10-6s.
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文献信息
篇名
ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe∶Cr晶体的光谱性能
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
ACRT-Te溶剂法
ZnTe∶ Cr晶体
透过光谱
可见光致发光谱
红外荧光谱
年,卷(期)
2012,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1158-1162
页数
5页
分类号
O734+.3
字数
2453字
语种
中文
DOI
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ZnTe∶ Cr晶体
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红外荧光谱
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
总被引数(次)
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