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ESD对RuO_2厚膜电阻阻值的影响
ESD对RuO_2厚膜电阻阻值的影响
作者:
卢振强
张俊
李军
原文服务方:
电子质量
静电放电
RuO2
厚膜电阻
阻值变化率
摘要:
采用静电放电(Electrostatic discharge,ESD)发生器对RuO2厚膜电阻直接放电,研究了电阻阻值变化率与电阻尺寸、阻值和ESD条件的关系。结果表明:厚膜电阻阻值受ESD作用而下降;相同ESD及阻值条件下的阻值变化率随电阻尺寸的增大而减小;相同电阻的阻值变化率随ESD电压的增大而增大;10kΩ左右的厚膜电阻在ESD作用下的阻值变化率最大,阻值变化率随着阻值的减小和增大而呈减小趋势;对10kΩ厚膜电阻反复施加不断增大的ESD电压,除宽度尺寸为0.45mm的电阻阻值在8~10kV之间出现一次回升外,电阻阻值逐步下降。
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篇名
ESD对RuO_2厚膜电阻阻值的影响
来源期刊
电子质量
学科
关键词
静电放电
RuO2
厚膜电阻
阻值变化率
年,卷(期)
2012,(7)
所属期刊栏目
认证与实验室
研究方向
页码范围
65-67
页数
3页
分类号
TM544.5
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-0107.2012.07.040
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
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张俊
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卢振强
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李军
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节点文献
静电放电
RuO2
厚膜电阻
阻值变化率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
主办单位:
中国电子质量管理协会
工业和信息化部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-0107
CN:
44-1038/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1980-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
6824
总下载数(次)
0
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