掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能

• 作者: 卫晓黑 施建章 李培咸 李智敏 李桂芳 郝跃 黄云霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: A1掺杂SiC 第一性原理 能带结构 介电性能
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 410-415
• 分类号: TQ174.756
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法，对比研究了未掺杂和Al掺杂3C-SiC材料的电子结构和介电常数．结果表明：Al掺杂后，Fermi能级进入价带，带隙宽度略为加宽，在8．2-12．4GHz范围内介电常数大幅度增大．利用燃烧合成法制备了Al掺杂的3C-SiC粉体吸收剂，通过矢量网络分析仪测试了样品在8．2-12．4GHz范围内的微波介电常数，验证了理论计算结果，并讨论了微波损耗机理．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	李桂芳	西安电子科技大学技术物理学院	25	150	7.0	11.0
3	施建章	西安电子科技大学技术物理学院	6	32	4.0	5.0
4	李培咸	西安电子科技大学技术物理学院	36	324	10.0	17.0
5	黄云霞	西安电子科技大学技术物理学院	27	233	8.0	14.0
6	李智敏		1	12	1.0	1.0
7	卫晓黑	西安电子科技大学技术物理学院	1	12	1.0	1.0