半Heusler型拓扑绝缘体LaPtBi能带调控的研究

• 作者: 刘国栋 刘恩克 吴光恒 张小明 杜音 柳忠元 王文洪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理计算 拓扑绝缘体 半Heusler合金
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 173-181
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波的方法，研究了化学替代和施加等体积单轴（拉、压）应力两种方式对半Heusler型拓扑绝缘体LaPtBi能带的影响．计算结果表明，通过在LaPtBi合金中用Sc元素替换La，或者用Pd替换Pt，都可以使得原本受立方对称性保护的几能带在费米能级附近打开一带隙；而对于施加等体积单轴应力来扭曲立方晶格的方式，在使得几能带打开的同时，还可以实现对费米能级位置有规律地调控，使LaPtBi合金最终成为真正意义上的体材料是绝缘性而表面是金属性的拓扑绝缘体．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴光恒	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	41	256	9.0	14.0
2	刘国栋	河北工业大学材料学院	33	345	10.0	17.0
3	王文洪	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	20	129	6.0	11.0
4	刘恩克	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	8	14	2.0	3.0
5	柳忠元	燕山大学材料学院	6	20	3.0	4.0
6	杜音	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
7	张小明		1	1	1.0	1.0