束流密度对Ge/Si量子点溅射生长的影响

• 作者: 杨宇 杨杰 王茺 陶东平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束溅射沉积 Ge/Si量子点 束流密度 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2012,（16）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 2239-2242,2246
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2849字
• 语种: 中文

摘要

采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品,研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明,随着束流密度的增加,量子点的面密度持续增大,其尺寸不断减小,量子点的形貌由圆顶形转变为过渡圆顶形。计算直径标准偏差的结果表明,当束流密度为0.86mA/cm2时,量子点的尺寸均匀性最佳。束流密度与沉积速率成正比,影响着表面吸附原子与其它原子相遇而形成晶核的能力。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	陶东平	昆明理工大学冶金与能源工程学院	42	223	8.0	14.0
4	杨杰		2	4	2.0	2.0