日本研究存储新材料 不怕消磁

• 来源期刊: 功能材料信息
• 学科: 工学
• 关键词: 新材料 存储 日本 消磁 磁性半导体 研究人员 人工合成 网络版
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 52-52
• 页数: 1页
• 分类号: TB3

摘要

近期，日本理化研究所研究人员在美国《物理评论通讯》杂志网络版上发表论文说，他们发现一种人工合成的镉锇氧化物在特定温度下由导体变为非磁性半导体的原因。这种特性使其能够成为不怕消磁的存储新材料。