SOISiGeHBT电学性能研究

• 作者: 张滨 徐小波 李跃进 杨银堂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT,SOI 电学性能
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 535-543
• 分类号: TN432
• 字数: 5672字
• 语种: 中文

摘要

研究了S01衬底上SiGenpn异质结晶体管的设计优化．给出了器件基本直流交流特性曲线，分析了与常规SiGeHBT的不同．由于S01衬底的引入使S01SiGeHBT成为四端器件，重点研究了衬底偏压对Gummel曲线、输出特性曲线以及雪崩电流的影响．最后仿真实现材料物理参数和几何物理参数对频率特性的改变．结果表明SOISiGeHBT与常规器件相比具有更大的设计自由度．SOISiGeHBT的系统分析为毫米波S01SiGeBiCMOS电路的设计提供了有价值的参考．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	李跃进	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	70	432	11.0	17.0
3	徐小波	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	23	3.0	4.0
4	张滨	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	5	18	3.0	4.0