原文服务方: 原子能科学技术       
摘要:
采用超高真空脉冲激光沉积(PLD)方法,在单晶Si基底表面制备了单层Au、单层U薄膜和Au/U/Au复合薄膜,应用SEM、白光干涉轮廓分析和AES分析,研究了靶基距、基片温度和激光能量对薄膜形貌、成分的影响.目前的实验结果显示,PLD所制备的Au、U薄膜表面有μm级以下粒径的液滴产生,在液滴较少位置,薄膜表面粗糙度Ra小于1 nm,在包含大液滴位置,Ra不超过15 nm.在相同沉积条件下,U薄膜表面液滴数量大于Au薄膜.优化单层薄膜沉积工艺后制备的Au/U/Au复合膜厚度约为195 nm,均方根粗糙度Rq在0.3~1.5 nm之间.AES分析显示,Au/U/Au复合膜中强化学活性的铀呈金属状态,复合膜中的氧含量低于5%(原子百分数),表层Au薄膜对U薄膜起到了良好的防氧化作用.在沉积工艺中,通过减小激光功率、增大靶基距并适当升高基片温度,可减少液滴的数量及粒径.
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文献信息
篇名 超高真空脉冲激光沉积Au、U单层膜及Au/U/Au复合膜研究
来源期刊 原子能科学技术 学科
关键词 金 铀 薄膜 脉冲激光沉积
年,卷(期) 2012,(7) 所属期刊栏目 技术及应用
研究方向 页码范围 861-866
页数 分类号 O484.4
字数 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郎定木 40 144 8.0 9.0
2 吕学超 29 121 6.0 9.0
3 肖红 26 59 5.0 6.0
4 陆雷 19 54 5.0 6.0
5 赖新春 26 85 6.0 7.0
6 张永彬 11 27 3.0 5.0
7 赵天明 2 1 1.0 1.0
8 周萍 8 22 2.0 4.0
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原子能科学技术
月刊
1000-6931
11-2044/TL
大16开
北京275信箱65分箱
1959-01-01
中文
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