（InAs）1/（GaSb）1超品格纳线第一原理研究

• 作者: 孙伟峰 郑晓霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一原理 InAs/GaSb超晶格 半导体纳米线 能带结构
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 426-435
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

半导体纳米线作为纳米器件的作用区和连接部分具有理想的形状,把电子运动和原子周期性限制在一维结构当中.通过体材料的已知特性,有效地选择材料组分使纳米线的低维结构优点更加突出.此外,还可以通过其他方式来调整纳米线特性,如控制纳米线直径、晶体学生长方向、结构相、表面晶体学晶面和饱和度等内部或固有的特性;施加电场、磁场、热场和力场等外部影响.体材料InAs和GaSb的晶格常数非常相近,因此InAs/GaSb异质结构晶格失配很小,可生长成为优良的红外光电子材料.另外,体材料InAs在二元Ⅲ—Ⅴ化合物半导体中具有最低的有效质量,这使得电子限制在InAs层的InAs/GaSb超晶格具有良好的输运特性.本文通过第一原理计算研究轴线沿[001]和[111]闪锌矿晶体学方向的（InAs）1/（GaSb）1超晶格纳米线（下标表示分子或双原子单层的数量）的结构、电子和力学特性,以及它们随纳米线直径（线径约为0.5—2.0 nm）的变化规律.另外,分析了外部施加的应力对电子特性的影响,考察了不同线径（InAs）1/（GaSb）1超晶格纳米线的电子带边能级随轴向应变的变化,从而确定超晶格电子能带的带边变形势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑晓霞	黑龙江工程学院计算机科学与技术系	20	62	5.0	7.0