应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性

• 作者: 宋建军 张鹤鸣 戴显英 杨程 郑若川 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变Ge Sil-xGex 空穴有效质量 价带结构各向异性与各向同性
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 404-409
• 分类号: O471.1
• 语种: 中文

摘要

在利用k·P微扰理论获得应变Ge／Sil-xGex价带E（k）-k关系的基础上，研究得到了（001），（101），（111）面应变Ge／Sil-xGex沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量．结果显示，应变Ge／Sil-xGex沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小，且沿[010]晶向最小；子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显，并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大．最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对，验证了结果的正确性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带隙半导体技术国家重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带隙半导体技术国家重点实验室	312	1866	17.0	25.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带隙半导体技术国家重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带隙半导体技术国家重点实验室	36	204	9.0	12.0
5	杨程	西安电子科技大学微电子学院宽禁带隙半导体技术国家重点实验室	3	15	3.0	3.0