点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p／p＋外延片中铜沉淀的影响

• 作者: 吉川 徐进
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 点缺陷 重掺硼 外延片 铜沉淀
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 369-373
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文

摘要

系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响，及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶P／P＋外延片中铜沉淀的影响．样品先在不同的气氛下进行1250℃／60S快速热处理，随后在750℃／8h＋1050℃／16h常规热处理过程中引入铜沾污．通过腐蚀结合光学显微镜研究发现，以O2作为保护气氛时，P＋衬底中的沉淀密度较小，以Ar和N2作为保护气氛时，重掺硼p＋衬底中生成了高密度的沉淀，且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成．研究认为，以O2作为保护气时引入的自间隙硅原子（SiI）可以抑制沉淀的形成，而以Ar和N2作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成，这是导致此差异的主要原因．另外，研究还发现，p/p＋外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质，从而保持了外延层的洁净．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉川	厦门大学材料学院	2	1	1.0	1.0
2	徐进		1	1	1.0	1.0