CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究

• 作者: 何承发 余学峰 周东 李豫东 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 线阵CCD 电子辐照 电离总剂量效应 时间相关效应
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 技术与应用
• 页码范围: 346-350
• 分类号: TN43
• 语种: 中文

摘要

对TCD1209线阵CCD进行能量为1.1 MeV的电子辐照试验,采用两种不同的注量率辐照后,对器件进行常温退火试验,在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律.结果表明,CCD受电子辐照后主要产生电离总剂量损伤,在不同注量率电子辐照下的辐射损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应.