氮离子轰击能量对ta-C：N薄膜结构的影响

• 作者: 何亮 赵玉清 邵鸿翔 陈仙 韩亮
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ta—C：N薄膜 氮离子 Raman光谱 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 349-355
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

利用磁过滤真空阴极电弧技术制备了s矿键含量不小于80％的四面体非晶碳薄膜（ta—C），然后通过氮离子束改性技术制备了氮掺杂的四面体非晶碳（ta—C：N）薄膜．利用Raman光谱和X射线光电子能谱对薄膜结构的分析，研究了氮离子轰击能量对ta—C：N薄膜结构的影响．氮离子对ta—C薄膜的轰击，形成了氮掺杂的ta-C：N薄膜．氮离子轰击诱导了薄膜申sp^3键向sp^2键转化，以及CN键的形成．在ta—C：N薄膜中，氮掺杂的深度和浓度随着氮离子能量的增大而增大．ta-C：N薄膜中sp。键的含量和sp^2键团簇的尺寸随着氮离子轰击能量的增大而增加；在ta-C：N薄膜中，CN键主要由C—N键和C=N键构成，C—N键的含量随着氮离子轰击能量的增大而减小，但是C=N键含量随着氮离子轰击能量的增大而增大．在ta-C：N薄膜中不含有C≡N键结构．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
2	赵玉清	西安交通大学电子与信息工程学院	17	63	4.0	7.0
3	邵鸿翔		17	89	5.0	9.0
4	韩亮	西安电子科技大学技术物理学院	16	38	3.0	6.0
5	陈仙	西安交通大学电子与信息工程学院	8	34	3.0	5.0