Ar环境气压对纳米Si晶粒成核区范围的影响

• 作者: 丁学成 傅广生 王英龙 褚立志 赵红东 邓泽超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光烧蚀 纳米Si晶粒 环境气压 成核区
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 463-467
• 分类号: O78
• 字数: 2863字
• 语种: 中文

摘要

为了研究不同环境气压条件下纳米si晶粒成核区的范围，采用波长为308nm的XeC1脉冲准分子激光器，分别在1—200Pa的Ar气环境下，烧蚀高阻抗单晶si靶，在距离烧蚀点正下方2．0cm处水平放置一系列单晶si或玻璃衬底，沉积制备了纳米si薄膜．Raman谱和x射线衍射谱测量证实了薄膜中纳米si晶粒已经形成．扫描电子显微镜的测量结果表明，环境气压的变化影响了衬底上纳米si晶粒的平均尺寸及其分布范围．根据成核区位置的确定方法，计算得出随着环境气压的增加纳米Si晶粒成核区的范围先变宽后变窄的规律．从烧蚀动力学的角度对实验结果进行了分析．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
2	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
3	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
4	赵红东	河北工业大学信息工程学院	88	427	10.0	17.0
5	傅广生	河北工业大学信息工程学院	2	4	1.0	2.0