Memoir Systems：开创存储器变革新篇章

• 作者: 黄俏丹（通讯员）
• 来源期刊: 电脑与电信
• 学科: 工学
• 关键词: 存储器结构 Systems 磁性随机存储器 革新 相变存储器 工艺兼容性 物理规律 MRAM
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 全球IT新浪潮
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN929.5
• 字数: 3604字
• 语种: 中文

摘要

当前，存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律，研发新的存储器结构”迈进，如相变存储器，电熔断存储器，阻抗存储器．磁性随机存储器MRAM等等，这一方向极人地丰富了现有存储器的种类，展现了繁多的存储器特色，但有两个缺陷是致命的：与CMOS工艺兼容性，生产效率。最近有一个新的趋势渐渐浮出水面，那就是算法存储器（Algorithmic Memory）。这是一种新的思路，