HEMT器件力电耦合传感特性测试

• 作者: 刘俊 王勇 胡宇光
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN/Si 高电子迁移率晶体管 力电耦合效应 灵敏度
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 计算与测试
• 页码范围: 145-146,152
• 分类号: O782
• 字数: 1296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2012.05.044

摘要

设计了在Si微结构与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)集成的微机电系统(MEMS).通过微机械加工工艺,完成了力电耦合传感结构的加工.通过实验测试发现HEMT器件具备很强的力电耦合特性,测试结果在-1.5V栅压下,HEMT器件对应力的灵敏度为123.96 MPa/mA,线性度为6.95％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	中北大学电子测试技术国家重点实验室	181	1162	17.0	24.0
2	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
3	胡宇光	中北大学电子测试技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0