LPCVD法制备SiC-MoSi2涂层的形貌及沉积机理研究

• 作者: 付前刚 何子博 史小红 吴恒 李贺军
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压化学气相沉积 SiC-MoSi2 双相陶瓷涂层 沉积温度 沉积机理
• 年，卷（期）: 2012,（20）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TB33
• 字数: 3620字
• 语种: 中文

摘要

为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理.结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100～1250℃均可成功得到SiC- MoSi2涂层,1100℃所得涂层结构疏松多孔；1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多,表层为致密SiC涂层；1150～1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC为连续相的SiC-MoSi2双相陶瓷涂层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军	西北工业大学凝聚态国家重点实验室	351	3778	28.0	39.0
2	付前刚	西北工业大学凝聚态国家重点实验室	30	198	9.0	13.0
3	吴恒	西北工业大学凝聚态国家重点实验室	9	49	3.0	7.0
4	史小红	西北工业大学凝聚态国家重点实验室	10	42	5.0	6.0
5	何子博	西北工业大学凝聚态国家重点实验室	2	10	1.0	2.0