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MPP CCD暗电流温度特性研究
MPP CCD暗电流温度特性研究
作者:
雷仁方
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MPPCCD
暗电流
温度特性
摘要:
研究了MPP电荷耦合器件(CCD)暗电流和暗电流非均匀性的温度特性,并与非MPP CCD的暗电流和暗电流非均匀性的温度特性进行了对比分析。研究结果表明,MPP CCD抑制了表面暗电流,相较于非MPP CCD具有较低的暗电流和暗电流非均匀性,可以承受更高的工作温度。
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文献信息
篇名
MPP CCD暗电流温度特性研究
来源期刊
电子科技
学科
工学
关键词
MPPCCD
暗电流
温度特性
年,卷(期)
2012,(2)
所属期刊栏目
电子·电路
研究方向
页码范围
23-25,50
页数
分类号
TN751.1
字数
2053字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1007-7820.2012.02.007
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
MPPCCD
暗电流
温度特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
主办单位:
西安电子科技大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-7820
CN:
61-1291/TN
开本:
大16开
出版地:
西安电子科技大学
邮发代号:
创刊时间:
1987
语种:
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
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