TA2工业纯Ti微弧氧化陶瓷膜生长规律及电容效应

• 作者: 吕宇鹏 朱先俊 朱瑞富 王宏元 王志刚 肖桂勇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 工业纯Ti 微弧氧化 陶瓷膜 生长规律 电容效应
• 年，卷（期）: 2012,（20）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 2763-2766
• 页数: 4页
• 分类号: TG174
• 字数: 2528字
• 语种: 中文

摘要

对TA2工业纯Ti微弧氧化陶瓷膜的生长规律进行了实验研究，分析了陶瓷膜表面形貌、厚度、相结构等不同生长阶段的实验现象及结果。模拟微弧氧化工艺反应过程，运用多种理论建立并分析了氧化陶瓷膜生长模型及等效电路。模型及电路分析结果证明，陶瓷膜在形成时呈现先离散分布后连接成片的生长特点，成膜后TiO2陶瓷膜具有交流耦合电容效应。模型及等效电路分析与实验结果是吻合的，为改善TA2工业纯Ti微弧氧化工艺并提高陶瓷膜性能提供了实验与理论基础。