原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
从MOSFET的开关基理,以仿真与电路实验相结合的方法,研究出了MOSFET栅极的“过”驱动技术,以此来提高MOSFET的开关速度.并结合多个MOSFET的串并联的级联技术,采用多管串联方法来提高脉冲源的输出脉冲幅度,采用多管并联方法来提高脉冲源的其输出脉冲功率,从而得到较大的脉冲宽度.在此研制出了输出脉冲幅度大于4kV、前沿小于10ns、脉冲宽度大于100ns的高压快脉冲源.
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内容分析
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文献信息
篇名 基于固体开关器件的新型高压脉冲驱动源
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 过驱动 MOSFET 高压固体器件 高压宽脉冲
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目 制控与驱动
研究方向 页码范围 208-210
页数 分类号 TN911-34
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2012.04.065
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈静 中国工程物理研究院电子工程研究所 22 93 6.0 9.0
2 周晓青 中国工程物理研究院电子工程研究所 6 47 3.0 6.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
过驱动
MOSFET
高压固体器件
高压宽脉冲
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
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总被引数(次)
135074
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