Temperature dependence of the P-hit single event transient pulse width in a three-transistor inverter chain

• 来源期刊: 中国物理B（英文版）
• 关键词: temperature dependence single event transient parasitic bipolar amplification effect charge sharing collection
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 340-345
• 页数: 6页
• 语种: 英文
• DOI: 10.1088/1674-1056/21/1/016104