应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究

• 作者: 刘刚 吴木生 徐波 欧阳楚英
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二硫化钼 应变 能带 第一性原理
• 年，卷（期）: 2012,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 381-385
• 分类号: O561.2
• 语种: 中文

摘要

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质．本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变（0．5％）时，其能带结构由直接带隙转变为间接带隙．随着应变的增加，能带仍然保持间接带隙的特征，且禁带宽度呈现线性下降的趋势．通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析，揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘刚	江西师范大学物理与通信电子学院	40	226	9.0	13.0
2	欧阳楚英	江西师范大学物理与通信电子学院	22	88	5.0	8.0
3	徐波	江西师范大学物理与通信电子学院	7	25	2.0	5.0
4	吴木生	江西师范大学物理与通信电子学院	11	86	4.0	9.0