栅长对PDSOINMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究

• 作者: 刘红侠 卓青青 彭里 蔡惠民
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: PD SOI NMOS 总剂量辐照效应 栅长 偏置状态
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 125-130
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

本文对PDS01NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试，分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理．研究结果表明，短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大，使器件跨导出现退化．PDSOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因．短沟道器件输出特性的击穿电压更低．在关态偏置条件下，由于背栅晶体管更严重的辐射效应，短沟道SOI器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道器件严重．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	卓青青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	33	4.0	5.0
3	彭里	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	6	1.0	2.0
4	蔡惠民	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	12	2.0	3.0