纤锌矿AlGaMAlN／GaN异质结构中光学声子散射影响的电子迁移率

• 作者: 杨福军 班士良
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: A1GaN/A1N/GaN异质结构 电子迁移率 光学声子模 三元混晶效应
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 355-365
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

对含有A1N插入层纤锌矿A1xGal-xN／A1N／GaN异质结构，考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势，同时计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用，采用数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程，获得二维电子气（2DEG）中电子的本征态和本征能级．依据介电连续模型和Loudon单轴晶体模型，用转移矩阵法分析该体系中可能存在的光学声子模及三元混晶效应．进一步，在室温下计及各种可能存在的光学声子散射，推广雷．丁平衡方程方法，讨论2DEG分布及二维电子迁移率的尺寸效应和三元混晶效应．结果显示：A1N插入层厚度和A1xGal-xN势垒层中A1组分的增加均会增强GaN层中的内建电场强度，致使2DEG的分布更靠近异质结界面，使界面光学声子强于其他类型的光学声子对电子的散射作用而成为影响电子迁移率的主导因素．适当调整A1N插入层的厚度和A1组分，可获得较高的电子迁移率．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学物理科学与技术学院	58	198	8.0	9.0
2	杨福军	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	5	1.0	2.0