选择性P型量子阱垒层掺杂在双波长发光二极管光谱调控中的作用

• 作者: 张运炎 范广涵 陈峻
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN P型掺杂 数值模拟 双波长发光二极管
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 493-501
• 分类号: TN752
• 语种: 中文

摘要

采用软件理论分析的方法对选择性P型掺杂量子阱垒层在InGaN双波长发光二极管（LED）中的光谱调控作用进行模拟分析．分析结果表明，选择性P型掺杂对量子阱中电子和空穴浓度分布的均衡性起到一定的调控作用，在适当选择P型掺杂量子阱垒层层数的条件下，能够改善量子阱中载流子的辐射复合速率，降低溢出电子浓度，从而有效提高芯片内量子效率，并减缓内量子效率随驱动电流增大而快速下降的趋势．随着活性层量子阱增加到特定数量，选择性P型掺杂的调控效果更加明显，LED芯片的双波长发光峰强度达到基本均衡．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	张运炎	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	34	4.0	5.0